09:45 〜 10:00
[16a-303-4] ハロゲン化鉛ペロブスカイト厚膜の作製とその光電特性の基礎検討
キーワード:フォトダイオード、ペロブスカイト、CH3NH3PbI3
今回我々は、数百μmを超えるCH3NH3PbI3厚膜をFTOガラス上に作製し、その光電特性について検証した。
作製したデバイスに、-21 Vから21 Vの電圧を印加し、単色光照射時(λ=810 nm, 0.5 mW)と暗状態での電流電圧特性を測定した。マイナスのバイアス電圧の印加時の光照射時の電流値が、暗電流値に対して顕著に増大した。逆バイアス下の電流増大は、ペロブスカイトの光伝導性がかかわっていると考えられ、その検討結果について報告する。
作製したデバイスに、-21 Vから21 Vの電圧を印加し、単色光照射時(λ=810 nm, 0.5 mW)と暗状態での電流電圧特性を測定した。マイナスのバイアス電圧の印加時の光照射時の電流値が、暗電流値に対して顕著に増大した。逆バイアス下の電流増大は、ペロブスカイトの光伝導性がかかわっていると考えられ、その検討結果について報告する。