[16a-311-1~11] 3.6 超高速・高強度レーザー

[16a-311-7] 中赤外パルスにおけるナノチップによる電場増強効果と光電界電子放出

〇(PC)水野 智也¹、金島 圭佑¹、竹内 健悟¹、石井 順久¹、金井 輝人¹、板谷 治郎¹ (1.東大　物性研)

キーワード：ナノチップ、光電界電子放出

高強度中赤外パルスをタングステンナノチップに照射し、増強された光電界によって放出された光電子のエネルギー分布を測定した。観測した光電子スペクトルを理解するために、時間領域差分法(FDTD法)でMaxwell方程式を数値的に解いて光電場の空間分布を求め、その電場分布における光電子の運動を古典的に追跡し、光電子のエネルギー分布を計算した。その結果、電場増強が12倍のとき、モデル計算と実験結果が良く一致することが分かった。