[16a-317-1~8] 11.1 基礎物性

[16a-317-8] YBa₂Cu₃O₇薄膜表面抵抗のイオン照射効果

〇大嶋 重利¹、高梨 直希¹、齊藤 敦¹、永山 勉² (1.山大理工、2.日新イオン機器)

キーワード：超伝導体、表面抵抗、人工ピン

Si, Mo, Inイオンを照射し人工ピンを形成したYBCO薄膜の表面抵抗(Rs)を無磁場中及び磁場中で測定した。その結果40K以下の低温領域では、イオン照射したＹＢＣＯ薄膜のRsの方が小さいが、60K以上の高温になると逆に未照射の方が小さい。また20Kで測定したRsの磁場依存性では、未照射のYBCO薄膜が最も大きな磁場依存性を示し、In, Mo, Siの順で小さくなることが分かった。Rsの磁場依存性はピン力に依存するので、それを現在検討している。詳細は当日