[16a-318-1~11] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[16a-318-2] TDGL方程式の数値計算による縦磁場下磁束量子ダイナミクスに及ぼす磁束ピン止め点の影響

〇一野 祐亮¹、足立 健人¹、土屋 雄司¹、吉田 隆¹ (1.名大院工)

キーワード：TDGL方程式、縦磁場効果

超伝導線材に対して磁場と電流を平行に印加する縦磁場ケーブルは、従来の横磁場ケーブルと比較して大きな電流を輸送できる可能性がある[1]。我々はこれまで、SmBCO薄膜の積層構造が縦磁場下で臨界電流密度(J_c)に影響を与えることを報告してきた[2]。しかし、縦磁場環境下において最適なピン止め点の形状や分布については不明な点が多い。
本研究では、Time-Dependent Ginzburg-Landau（TDGL）方程式を数値計算で解くことによって、縦磁場下での磁束量子ダイナミクスにピン止め点が及ぼす影響について明らかにすることを目的とした。