[16a-412-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[16a-412-6] SRAM の電源投入直後初期状態とトランジスタばらつきの関係

〇竹内 潔¹、水谷 朋子¹、篠原 尋史²、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.早大)

キーワード：SRAM、初期状態

トランジスタのランダムしきい値ばらつきとSRAMの電源投入直後初期状態とがどのように関係するかを回路シミュレーションにより調べた。電源昇圧速度が大きいほど初期状態決定におけるpMOS特性の左右差の影響が強まること、そのような挙動が静的電流と容量性電流のバランスの変化により説明できることが判った。