[16a-413-1~12] 13.3 Insulator technology

△ [16a-413-11] Study on the factors determining the formation and suppression of dipole layer at Al₂O₃/SiO₂ interface

〇(M1C)Hironobu Kamata¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:insulating film, dipole layer, high-k

一部の堆積ゲート絶縁膜では堆積膜/SiO₂界面にダイポール層が形成され​、フラットバンド電圧(V_fb)のシフトをもたらす。ダイポール層の発現と抑制の制御は例えば繰り返し構造により大きなV_fbシフトを実現するのに有用である。そこで本研究では、上層SiO₂/下層Al₂O₃界面の成膜プロセスがダイポール層の発現に与える影響について検討しその制御法を確立した。