[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-413-11] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

〇(M1C)鎌田 啓伸¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：絶縁膜、ダイポール、high-k

一部の堆積ゲート絶縁膜では堆積膜/SiO₂界面にダイポール層が形成され​、フラットバンド電圧(V_fb)のシフトをもたらす。ダイポール層の発現と抑制の制御は例えば繰り返し構造により大きなV_fbシフトを実現するのに有用である。そこで本研究では、上層SiO₂/下層Al₂O₃界面の成膜プロセスがダイポール層の発現に与える影響について検討しその制御法を確立した。