[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-413-4] 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析 －電位変化および化学結合状態評価－

〇大田 晃生¹、村上 秀樹²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、池永 英司³、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.久留米高専、3.SPring-8)

キーワード：硬X線光電子分光法