講演情報

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 413 (413)

渡邉孝信(早大)、小林清輝(東海大)

11:00 〜 11:15

[16a-413-8] 酸素濃度0.1ppmの新フラッシュランプアニール(FLA)装置によるHigh-k膜の薄膜化

〇上田晃頌¹、河原崎光¹、古川雅志¹、青山敬幸¹、加藤慎一¹、小林一平¹ (1.SCREEN)

キーワード：フラッシュランプアニール、High-k、薄膜化