[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-1] Y₂O₃添加ZrO₂薄膜を用いた抵抗変化型メモリ素子における量子化伝導の発現

〇二ツ森 皓史¹、白田 稜¹、塩田 忠¹、西山 昭雄¹、篠崎 和夫¹ (1.東工大)

キーワード：抵抗変化型メモリ