[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-10] Tiナノドットを埋め込んだSiO_x膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－

〇加藤 祐介¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、牧原 克典¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、ナノドット、Si酸化物