[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-11] MOD 法BaTiO3 薄膜におけるReRAM メモリ疲労特性の向上

〇林 佑哉¹、前島 壮¹、杉江 敏幸¹、山下 馨¹、野田 実¹ (1.京工繊工芸)

キーワード：ReRAM、BaTiO3、抵抗ヒステリシス