2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 419 (419)

西 佑介(京大)

12:00 〜 12:15

[16a-419-12] SmNiO3薄膜EDLTを用いた多段階不揮発的抵抗変化の制御

〇(B)川本 大喜1、服部 梓1,2、山本 真人1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.JST さきがけ)

キーワード：SmNiO3、不揮発性メモリ