[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-4] Cu/Ta₂O₅/Pt素子におけるCuフィラメント形成過程の活性化障壁測定

〇(B)重岡 祐貴¹、長谷川 剛¹、鶴岡 徹² (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化素子