[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-7] 超平坦a-TaO_x薄膜を用いた抵抗変化メモリ動作における導電性フィラメントの直接観察

〇福地 厚¹、有田 正志¹、片瀬 貴義²、太田 裕道²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.北大電子研)

キーワード：抵抗変化メモリ、ReRAM、酸化タンタル

金属酸化物における欠陥移動現象は抵抗変化メモリの基礎原理として知られ、近年盛んな評価が行われている。一方で抵抗変化の発生源である導電性フィラメントについては、その微細さのため直接的な観測は困難である事が知られる。本研究では欠陥移動の詳細な評価を目指し、原子的に平坦なアモルファスTaO_x薄膜を新たに開発した。作製した膜による導電性AFM測定では抵抗変化によるフィラメントの形成を直接的に観察する事に成功した。