[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-8] Ag析出Ta₂O₅ギャップ型原子スイッチの研究

〇(B)鈴木 彩菜¹、鶴岡 徹²、長谷川 剛¹ (1.早稲田先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ