[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-9] シリコンナノ結晶塗布薄膜における抵抗変化現象

〇河内 剛史¹、加納 伸也¹、藤井 稔¹ (1.神戸大工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、シリコンナノ結晶、塗布プロセス

近年、次世代型メモリとして抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。その中で、フレキシブルReRAMが研究されている。
半導体ナノ結晶コロイドは、大面積かつフレキシブルなナノ結晶薄膜が形成できる。我々は、ホウ素とリンを高濃度に含むシェル層を有する、シリコン(Si)ナノ結晶コロイドの開発を進めている。Siナノ結晶塗布薄膜において、抵抗変化現象が起こることを見出した。本発表では、そのメカニズムを明らかにする。