[16a-422-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[16a-422-6] Excess-noise characteristics of an inverted APD with thin InAlAs multiplication layer

〇yuki yamada¹, masahiro nada¹, hideaki matsuzaki¹ (1.NTT Device Technology Lab.)

Keywords:receiver, avalanche photodiode, noise characteristic

APDは素子が内部利得を有するため、高感度な受光素子として広く応用されている。APDは利得の上昇に伴い雑音が増加するが、同層の薄層化は雑音低減に有効である。一方、十分に薄い増倍層では、トンネル暗電流の上昇に起因した雑音増加が懸念される。これまでInAlAsを用いた増倍層では層厚100 nmまでは雑音低減が確認されている。今回、我々は更に薄層の90-nm InAlAs増倍層の雑音特性評価結果を報告する。