[16a-422-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[16a-422-9] Photoresponse of graphene/n-type Si Schottky gate FET

〇Shiho Kobayashi¹, Yuki Anno¹, Kuniharu Takei¹, Takayuki Arie¹, Seji Akita¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:FET, graphene, photo response

グラフェンは〜2.3％の低い光吸収しか持たず、透過率が高い。その理由から、透明電極として注目されており、グラフェン/Si半導体ヘテロ接合の光応答特性や太陽電池応用など幅広く研究されている。本研究ではグラフェン／軽ドープのn型Si界面に生成されるSi空乏層を絶縁層としたグラフェン電界効果トランジスタ(G-FET)における光応答特性に関して検討した。