[16a-422-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-422-9] グラフェン／n型Siショットキー接合ゲートFETにおける光応答特性

〇小林 史歩¹、安野 裕貴¹、竹井 邦晴¹、有江 隆之¹、秋田 成司¹ (1.大阪府大工)

キーワード：FET、グラフェン、光応答特性

グラフェンは〜2.3％の低い光吸収しか持たず、透過率が高い。その理由から、透明電極として注目されており、グラフェン/Si半導体ヘテロ接合の光応答特性や太陽電池応用など幅広く研究されている。本研究ではグラフェン／軽ドープのn型Si界面に生成されるSi空乏層を絶縁層としたグラフェン電界効果トランジスタ(G-FET)における光応答特性に関して検討した。