[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-502-1] 高性能レアメタルフリーGa-Sn-O薄膜トランジスタ

〇(B)梅田 鉄馬¹、松田 時宜²、木村 睦^1,2 (1.龍谷大理工、2.龍谷大革新的材料プロセス研究センター)

キーワード：酸化物半導体、Ga-Sn-O、薄膜トランジスタ

近年、高性能で低温作製のアモルファス酸化物半導体TFTとして、IGZO TFTの研究開発と実用化が盛んである。しかし、IGZOに含まれるInは資源枯渇の問題を抱えている。そこで我々は、レアメタルを含まない酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)に着目し、今回、高性能TFTの開発に成功した。