[16a-502-1~12] 21.1 Joint Session K

[16a-502-11] Development of High Mobility Indium Oxide Semiconductor Materials (2)

〇Fumito Ootake¹, Yuusuke Ujihara¹, Mitsuru Ueno¹, Motoshi Kobayashi¹, Junya Kiyota¹, Kazuya Saito¹ (1.ULVAC)

Keywords:Oxide Semiconductor, IGZO, Sputtering

高い移動度が得られる酸化物半導体材料「New TAOS」を開発し、Etching Stopper Type Thin Film Transistorを作製して伝達特性および信頼性を評価した。伝達特性ではIGZO(1:1:1)の移動度μ = 11 cm2/Vsに対して、New TAOSでは移動度μ = 30 cm2/Vsという結果が得られた。信頼性評価(PBTS、NBITS)では良好な結果が得られたため、当日報告する。