[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-11] 高移動度In系酸化物半導体材料の開発(2)

〇大竹 文人¹、氏原 祐輔¹、上野 充¹、小林 大士¹、清田 淳也¹、齋藤 一也¹ (1.アルバック)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、スパッタリング

高い移動度が得られる酸化物半導体材料「New TAOS」を開発し、Etching Stopper Type Thin Film Transistorを作製して伝達特性および信頼性を評価した。伝達特性ではIGZO(1:1:1)の移動度μ = 11 cm2/Vsに対して、New TAOSでは移動度μ = 30 cm2/Vsという結果が得られた。信頼性評価(PBTS、NBITS)では良好な結果が得られたため、当日報告する。