[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-502-12] プロトンをインターカレーションした単結晶WO₃薄膜の状態保持特性

〇桑形 航行¹、美藤 大輝¹、村上 聡¹、岩田 知也¹、小池 一歩¹、原田 義之¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大 ナノ材研、2.リガク X線研究所)

キーワード：三酸化タングステン、分子線エピタキシー、プロトンインターカレーション

r面サファイア基板上にMBE法で成膜した単結晶WO₃薄膜を溶液ゲートタイプのエレクトロクロミック素子へ加工した．溶液ゲート表面を硫酸水溶液で満たして正バイアスを印加すると，タングステンブロンズと水和物が生成され，光透過率が大きく減衰し，移動度とキャリア密度が増大することが判った．今回，プロトンをインターカレーションした後の結晶構造，電気特性，光学特性の時間変化を調べた結果について報告する．