[16a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-503-1] GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

〇秩父 重英^1,2、小島 一信¹、高島 信也³、江戸 雅晴³、上野 勝典³、清水 三聡⁴、高橋 言緒⁴、石橋 章司⁴、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.富士電機、4.産総研、5.筑波大数物)

キーワード：窒化ガリウム、Mg添加p型GaN、発光寿命

p型GaNは、発光素子のコンタクト層や活性層への正孔輸送層、HBTのベース層、高耐圧デバイスのガードリング、FETの反転チャネル層の形成などに必須の部品であり、デバイス構造デザインの自由度の観点からは、任意位置へのMgイオン注入(I/I)による局所的p型領域の形成が望ましい。我々は、転位の影響を取り除いてI/IによるMg添加GaN(GaN:Mg)の物性を明らかにするため、GaN基板上I/I GaN:Mg層の評価を行ってきた。本発表では、I/Iとエピ成長GaN:Mgの光学的特性の比較を主に紹介し、電気伝導や接合特性に直結する光学特性とも言える、I/I GaN:Mgで特に強く観測される、2.37eVにピークを持つ緑色発光（GL）帯と非輻射再結合中心(NRC) に共通な点欠陥と考えられる、窒素空孔（V_N）に起因する諸現象について議論する。