[16a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-503-11] InGaN光触媒によるゼロバイアス下でのクリーン水素生成

〇大川 和宏¹、飯田 大輔²、清水 隆光²、ジネ パトリック³ (1.KAUST、2.東京理大、3.ｴｱﾘｷｰﾄﾞﾗﾎﾞﾗﾄﾘｰｽﾞ)

キーワード：窒化物光触媒、水素、窒化物半導体

2001年に発明された窒化物光触媒の機能向上に成功した。InGaNを用いた光吸収層を用いると光電流が取り出しにくくなるが、p型層の導入によりゼロバイアス下でも水素発生させることができた。ランプの光エネルギーから水素へのエネルギー変換効率は２％を超えた。