[16a-B5-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

△ [16a-B5-9] Development of preparation method of p-type BaSi₂ thin films for Si heterojunction solar cells application

〇Kazuma Takahashi¹, Yoshihiko Nakagawa¹, Kosuke Hara², Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Univ. Yamanashi)

Keywords:vacuum evaporation method, heterojunction, solar cell

ドーパントの偏析やクラック発生といった問題により、ノンドープでn型を示すBaSi₂のp型化は困難とされてきた。しかし、本研究はBドープ水素化アモルファスSi上に、BaSi₂を真空蒸着法により堆積し、BaSi₂を堆積する際の基板温度の最適化を行うことで、高キャリア密度を持つp型BaSi₂薄膜の作製に成功した。この手法の開発はをp型BaSi₂用いた高効率ヘテロ接合型太陽電池や、超高効率Si系タンデム太陽電池の実現を前進させた。