2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 E206 (E206)

曽根 正人(東工大)、後藤 正英(NHK技研)

09:15 〜 09:30

[16a-E206-2] ミニマルレーザ加熱熱酸化膜のウェハ面内均一性評価(2)

佐藤 和重1、千葉 貴史1,3、寺田 昌男1,3、池田 伸一1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード:レーザ加熱、ミニマルファブ

ビーム形状の異なる2種類のレーザを重ね合わせて加熱できるミニマルレーザ加熱装置において、酸化膜厚の面内均一性を劣化させているウェハを支えるサセプターの構造について検討した。