[16a-F202-1~14] 3.11 フォトニック構造・現象

[16a-F202-8] Ｈ１スロットナノ共振器による高Ｑ／Ｖ値の達成

〇倉持 栄一^1,2、Kim Jun-Ki²、谷山 秀昭^1,2、新家 昭彦^1,2、北 翔太²、納富 雅也^1,2 (1.ＮＴＴ ＮＰＣ、2.ＮＴＴ物性基礎研)

キーワード：フォトニック結晶、光共振器、シリコンフォトニクス

単一のアンチノードのみに電界を集中することができる高Q値フォトニック結晶ナノ共振器として、Ｈ１ナノ共振器に光の回折限界を下回る微細なナノスロットを配置する設計を考案し検討した。複数の穴シフトと組み合わせることで、電磁界解析により単極子モードがスロット内の単一電界アンチノードに集中し、10⁶程度のQ値と0.02(λ/n)³程度のモード体積を実現しうることを明らかにした。設計にもとづき、実験において２０万を超えるQ値と10⁷程度のQ/V値を達成した。