[16a-F203-1~11] 17.3 層状物質

△ [16a-F203-4] Type II 型 HfS₂/MoS₂ヘテロジャンクションを有するTFET

〇(M2)祢津 誠晃¹、金澤 徹¹、ウパディヤヤ ヴィクラント¹、ウワンノー ティーラユット²、雨宮 智宏¹、長汐 晃輔²、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.東大)

キーワード：トンネルFET、二硫化ハフニウム、二硫化モリブデン

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）はバンドギャップを有する層状物質群であり，電界効果トランジスタへ（FET）の応用が期待されている．これまで当研究グループは，HfS₂をチャネルとしたFETの動作確認を報告してきた．HfS₂は高い電子親和力を持つことから，他のTMDとヘテロ接合を形成した際に大きなバンド不連続を生じ，高いオン電流でのTFET動作が期待される．本報告では，世界初のHfS₂/MoS₂ヘテロ構造を用いたTFETの作製結果を報告する.