[16a-F203-1~11] 17.3 Layered materials

[16a-F203-5] Controlled interface between MoS₂ and molecule toward carrier control

〇Hisashi Ichimiya¹, Kohei Miura¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya^1,2 (1.Osaka Pref. Univ., 2.JST PRESTO)

Keywords:MoS2, Molecular doping, Field Effect Transistor

近年、二硫化モリブデン(MoS₂) のデバイス研究が盛んにおこなわれている。その特性を制御する方法として、MoS₂表面への分子接合が提案されている。この手法は分子をMoS₂表面へと接触（接合）させるのみであるため結晶格子を壊さずにキャリアの制御が可能である。しかし、接合界面の分子の集積状態に関する検討はなされておらず、単なる分子の堆積にとどまっていた。本研究では、分子の接合状態・秩序状態の制御に向けた取り組みを報告する。