[16a-F203-1~11] 17.3 層状物質

[16a-F203-5] MoS₂のキャリア制御を志向した分子接合界面の状態制御

〇一宮 永¹、三浦 光平¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔^1,2 (1.阪府大工、2.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード：二硫化モリブデン、分子処理、電界効果トランジスタ

近年、二硫化モリブデン(MoS₂) のデバイス研究が盛んにおこなわれている。その特性を制御する方法として、MoS₂表面への分子接合が提案されている。この手法は分子をMoS₂表面へと接触（接合）させるのみであるため結晶格子を壊さずにキャリアの制御が可能である。しかし、接合界面の分子の集積状態に関する検討はなされておらず、単なる分子の堆積にとどまっていた。本研究では、分子の接合状態・秩序状態の制御に向けた取り組みを報告する。