2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[16a-F203-1~11] 17.3 層状物質

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 F203 (F203)

安藤 淳(産総研)

10:00 〜 10:15

[16a-F203-5] MoS2のキャリア制御を志向した分子接合界面の状態制御

一宮 永1、三浦 光平1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1、桐谷 乃輔1,2 (1.阪府大工、2.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード:二硫化モリブデン、分子処理、電界効果トランジスタ

近年、二硫化モリブデン(MoS2) のデバイス研究が盛んにおこなわれている。その特性を制御する方法として、MoS2表面への分子接合が提案されている。この手法は分子をMoS2表面へと接触(接合)させるのみであるため結晶格子を壊さずにキャリアの制御が可能である。しかし、接合界面の分子の集積状態に関する検討はなされておらず、単なる分子の堆積にとどまっていた。本研究では、分子の接合状態・秩序状態の制御に向けた取り組みを報告する。