[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-1] 成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強(2)

〇東垂水 直樹¹、河合 直行¹、石川 靖彦¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、フォトルミネセンス

Si基板上にエピタキシャル成長したn型Ge (n=1.0x10¹⁹ cm^-2)に対し成長後サイクリックアニールを行った。アニール中にドーパントであるPが外方拡散によって損失するのを防ぐために、Ge上にSi capをエピタキシャル成長した。アニール前後のフォトルミネセンス測定の結果、貫通転位密度の減少およびSi/Ge界面の相互拡散によって非発光再結合が低減されることが明らかになった。