[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-11] 高集積受信回路実現に向けた300mm径SOI基板上高性能面入射型Ge受光器の開発

〇藤方 潤一¹、木下 啓藏¹、堀川 剛^1,2、竹村 浩一¹、岡本 大典¹、高橋 重樹¹、今井 雅彦¹、野口 将高¹、鈴木 康之¹、栗原 充¹、中村 隆宏¹、蔵田 和彦¹、最上 徹¹ (1.光電子融合基盤技術研究所、2.産総研)

キーワード：Siフォトニクス、Ge受光器

300 mm径SOI(silicon-on-insulator)基板を用いて，高集積Siフォトニクス受信回路実現に向けた面入射型Ge受光器を開発した．高品質なGe/Si層および高周波損失の小さい配線を開発することにより、リーク電流が小さく(60nA@3.3 V)，高感度量子効率>80%)で広帯域(11-12GHz)な面入射型Ge受光器をウェハ面内均一に実現した．