10:00 AM - 10:15 AM
△ [16a-F204-4] Low Threading Dislocation Density Inverted-rib Ge on Si Substrates
Keywords:Germanium, epitaxial growth, threading dislocation density
Si上Ge選択成長技術を応用し、SiとGeの接触面積を制限して逆リブ構造のGeとすることで貫通転位密度を低減した。Ge中貫通転位密度は接触面積割合の減少以上に減少し、その原因として鏡像力を提案する。本研究中では107 cm-2台中盤の貫通転位密度が達成され、さらなる構造の最適化により106 cm-2台の貫通転位密度が達成できる可能性が示唆された。