The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.15 Silicon photonics

[16a-F204-1~11] 3.15 Silicon photonics

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

Thu. Mar 16, 2017 9:15 AM - 12:15 PM F204 (F204)

Tatsuro Hiraki(NTT), Hideo Isshiki(UEC Tokyo)

10:00 AM - 10:15 AM

[16a-F204-4] Low Threading Dislocation Density Inverted-rib Ge on Si Substrates

〇(D)Motoki Yako1, Yasuhiko Ishikawa1, Kazumi Wada1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.Massachusetts Inst. of Tech)

Keywords:Germanium, epitaxial growth, threading dislocation density

Si上Ge選択成長技術を応用し、SiとGeの接触面積を制限して逆リブ構造のGeとすることで貫通転位密度を低減した。Ge中貫通転位密度は接触面積割合の減少以上に減少し、その原因として鏡像力を提案する。本研究中では107 cm-2台中盤の貫通転位密度が達成され、さらなる構造の最適化により106 cm-2台の貫通転位密度が達成できる可能性が示唆された。