[16a-F204-1~11] 3.15 Silicon photonics

△ [16a-F204-4] Low Threading Dislocation Density Inverted-rib Ge on Si Substrates

〇(D)Motoki Yako¹, Yasuhiko Ishikawa¹, Kazumi Wada^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.Massachusetts Inst. of Tech)

Keywords:Germanium, epitaxial growth, threading dislocation density

Si上Ge選択成長技術を応用し、SiとGeの接触面積を制限して逆リブ構造のGeとすることで貫通転位密度を低減した。Ge中貫通転位密度は接触面積割合の減少以上に減少し、その原因として鏡像力を提案する。本研究中では10⁷ cm^-2台中盤の貫通転位密度が達成され、さらなる構造の最適化により10⁶ cm^-2台の貫通転位密度が達成できる可能性が示唆された。