[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [16a-F204-4] Si基板上低貫通転位密度逆リブ構造Ge

〇(D)八子 基樹¹、石川 靖彦¹、和田 一実^1,2 (1.東大院工、2.マサチューセッツ工大)

キーワード：ゲルマニウム、エピタキシャル成長、貫通転位密度

Si上Ge選択成長技術を応用し、SiとGeの接触面積を制限して逆リブ構造のGeとすることで貫通転位密度を低減した。Ge中貫通転位密度は接触面積割合の減少以上に減少し、その原因として鏡像力を提案する。本研究中では10⁷ cm^-2台中盤の貫通転位密度が達成され、さらなる構造の最適化により10⁶ cm^-2台の貫通転位密度が達成できる可能性が示唆された。