[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-6] Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価

〇(D)前蔵 貴行¹、本山 千里¹、田中 健太郎¹、山本 圭介¹、中島 寛²、王 冬¹ (1.九大総理工、2.九大GIC)

キーワード：光配線、Ge発光素子

本研究室ではSi-CMOSプロセスに親和性があり、直接遷移禁制帯幅が0.8 eV(光通信波長 1.55 umに対応)のGeを用いた光配線用の発光・受光素子の作製・評価を行っている。既に、バルクGeに非対称-金属/Ge/金属 (PtGe/Ge/TiN)構造を形成することによって、波長1.55 umでの発光を観測し、0.7 A/Wの受光感度を達成している。今回は基板の電子濃度が発光強度に与える影響について検討したので、結果を報告する。