[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-8] n型Si基板上に作製したGe-pinフォトダイオードの評価

川手 美希¹、〇伊藤 和貴¹、石川 靖彦¹ (1.東大工)

キーワード：Geフォトダイオード

p-Ge/i-Ge/n-Si構造のGeフォトダイオードの暗電流に関して、最上部のp型層形成に用いるイオン注入（イオン種・深さ）の影響を評価したので報告する。イオン注入を適切に行うことで、p-Ge/i-Ge/n-Si構造の暗電流を約20 mA/cm²に低減した。n-Ge/i-Ge/p-Si構造と同様な値である。