[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-9] 横型PIN構造導波路型Ge-PDの低暗電流化

〇小野 英輝¹、八重樫 浩樹¹、佐々木 浩紀¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、Ge-PD、横型PIN

横型PIN構造を有するエバネッセント結合導波路型Ge-PDの低暗電流化のため、光吸収領域となるGe層の表面にイオン注入した。その結果、Ge層表面にイオン注入しない従来の横型PIN構造と比較して、逆方向リーク電流が1桁程度低減された。これは、結晶欠陥の多いGe層表面の一部にイオン注入したことにより、逆バイアスがGe層表面の一部にのみ印加されるため、Ge層表面を逆方向リーク電流が流れにくくなったためだと思われる。