[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-14] アンドープGaN上のMOSFETの特性

〇上野 勝典¹、高島 信也¹、稲本 拓朗¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、高橋 言緒³、清水 三聡³、中川 清和² (1.富士電機（株）、2.山梨大、3.産総研)

キーワード：GaN、MOSFET、アンドープ

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討がされ始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術である。これまでにGaNのMg濃度依存性とMOSFETの特性を報告してきたが、今回、MOSFETの移動度の限界値を探索するため、アンドープGaNの場合についてMOSFETの特性を報告する。