[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-17] Fully vertical GaN p-n diode on Si substrate

〇Suguru Mase¹, Yuya Urayama¹, Takeaki Hamada¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:GaN, diode, Si substrate

横型構造が主流であるSi基板上GaN系デバイスにおいて、導電性のSi基板及びバッファ層を用いることで基板転写やエッチングによる疑似縦型構造を用いない純粋な縦型構造デバイスを実現した。今回この縦型化の技術を用いp-nダイオードの作製及び評価を行った。室温でのI-V特性からオン抵抗5.3 mΩ·cm²、破壊電圧311 Vであり、パワーデバイスの性能指数であるバリガ指数は18.3 MW/cm²であった。