[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-2] DLTS測定によるGaN基板上MOCVDp⁺⁺p^-n⁺GaNのトラップ評価

〇(B)小木曽 達也¹、上田 聖悟¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、富田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN、DLTS

n⁺-GaN 基板上にp⁺⁺p^-n⁺接合をMOCVD成長により作成し、DLTS法を用いてp-GaNのトラップ評価を行った。４つの正孔トラップH_a、H_b、H_c、 H_dが観測された。H_c, H_dのエネルギー準位、濃度はそれぞれE_v+0.46, 0.88 eV、1.6x10¹⁵、2.4x10¹⁶ cm^-3であった。H_dのエネルギー準位は、n-GaNで観測される正孔トラップH1に近く、同一のトラップかどうかの検討を行っている。