[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-21] Recovery Current Characteristics of Diode Mode Operation in GaN GIT Bi-directional Switch

〇Toshihide Ide¹, Mitsuaki Shimizu¹, Xu-Qiang Shen¹, Hidetoshi Ishida², Masahiro Ishida², Tetsuzo Ueda² (1.AIST ADPERC, 2.Panasonic Corp.)

Keywords:GaN, Gate Injection Transistor, Diode mode operation

GaN-Gate Injection Transistor (GIT) 双方向スイッチは2つのp型ゲート電極からチャネル電流をノーマリーオフで制御でき，GaNトランジスタの高速・高出力動作の特長に加え，回路応用時の素子数低減，規模縮小，損失低減なども期待できる．この素子はトランジスタ動作とダイオード動作の両方が可能であり，我々はこの素子の回路設計用等価回路モデルを提唱してきた [1, 2]．今回は，GaN-GIT双方向スイッチのスイッチング回路におけるダイオード動作での逆回復電流の挙動についてスイッチングトランジスタ動作との相関を調べたので報告する．