[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-21] GIT双方向スイッチのダイオード動作における逆回復電流特性

〇井手 利英¹、清水 三聡¹、沈 旭強¹、石田 秀俊²、石田 昌弘²、上田 哲三² (1.産総研先進パワエレ、2.パナソニック)

キーワード：GaN、ゲート注入型トランジスタ、ダイオードモード動作

GaN-Gate Injection Transistor (GIT) 双方向スイッチは2つのp型ゲート電極からチャネル電流をノーマリーオフで制御でき，GaNトランジスタの高速・高出力動作の特長に加え，回路応用時の素子数低減，規模縮小，損失低減なども期待できる．この素子はトランジスタ動作とダイオード動作の両方が可能であり，我々はこの素子の回路設計用等価回路モデルを提唱してきた [1, 2]．今回は，GaN-GIT双方向スイッチのスイッチング回路におけるダイオード動作での逆回復電流の挙動についてスイッチングトランジスタ動作との相関を調べたので報告する．