[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-22] 1200 V GaN Polarization Super Junction (PSJ) Diode on Sapphire

〇Shuichi Yagi¹, Shoko Hirata¹, Takeru Saito¹, Yusuke Kamiyama¹, Fumihiko Nakamura¹, Hiroji Kawai¹, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.POWDEC, 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Diode, GaN

サファイア基板上に分極超接合（PSJ）方式を用いた耐圧1,200 V級のGaN-PSJダイオードを作製し素子特性を評価した。破壊耐圧：1,635 Vだった。スイッチング評価において逆方向バイアス電圧を980 V とした時の立ち上がり速度は、6.1 nsであった。スイッチング波形からは電流コラプスの影響は確認できなかった。