[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-22] サファイア基板上 1200 V GaN 分極超接合（PSJ）ダイオード

〇八木 修一¹、平田 祥子¹、斉藤 武尊¹、神山 祐輔¹、中村 文彦¹、河合 弘治¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：ダイオード、窒化ガリウム

サファイア基板上に分極超接合（PSJ）方式を用いた耐圧1,200 V級のGaN-PSJダイオードを作製し素子特性を評価した。破壊耐圧：1,635 Vだった。スイッチング評価において逆方向バイアス電圧を980 V とした時の立ち上がり速度は、6.1 nsであった。スイッチング波形からは電流コラプスの影響は確認できなかった。