[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-23] 1200 V / 100 A Class Module using GaN Polarization Super Junction (PSJ) FET on Sapphire

〇Shuichi Yagi¹, Shoko Hirata¹, Takeru Saito¹, Yusuke Kamiyama¹, Fumihiko Nakamura¹, Hiroji Kawai¹, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.POWDEC, 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:FET, GaN, Module

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いた、耐圧1,200 V以上のGaN PSJ FETにより100 A 級モジュールを試作した。Si-MOSとのカスコード接続によりノーマリーオフ動作するようにした。オン抵抗は15 mΩ、耐圧：1,200 V以上であった。スイッチング評価において試作したモジュールが電流コラプスの影響が無く駆動していることが確認できた。