[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-23] サファイア基板上 GaN 分極超接合（PSJ）FET を用いた 1200 V / 100 A 級モジュール

〇八木 修一¹、平田 祥子¹、斉藤 武尊¹、神山 祐輔¹、中村 文彦¹、河合 弘治¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：トランジスタ、窒化ガリウム、モジュール

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いた、耐圧1,200 V以上のGaN PSJ FETにより100 A 級モジュールを試作した。Si-MOSとのカスコード接続によりノーマリーオフ動作するようにした。オン抵抗は15 mΩ、耐圧：1,200 V以上であった。スイッチング評価において試作したモジュールが電流コラプスの影響が無く駆動していることが確認できた。