[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-24] サファイア基板上 GaN 分極超接合（PSJ）FET を用いた降圧コンバータ

〇神山 祐輔¹、平田 祥子¹、斉藤 武尊¹、中村 文彦¹、八木 修一¹、河合 弘治¹、田中 敦之³、本田 善央³、天野 浩^2,3 (1.パウデック、2.名大院工、3.未来材料・システム研)

キーワード：トランジスタ、窒化ガリウム、降圧

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いたGaN-PSJ FETとGaN-PSJダイオードを試作し、これらを用いたダウンコンバータ回路の試作と評価を実施した。その結果、電流コラプス等による異常動作無く1kVから12Vへの降圧動作を確認した。これよりGaN-PSJ素子は、スイッチング電圧1 kVを越える高電圧のアプリケーション領域に於いて適用可能であることを示した。